DDR2內(nèi)存也稱為第二代的DDR，是DDR內(nèi)存的升級(jí)，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。即DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
DDR2內(nèi)存除了在數(shù)據(jù)傳輸頻率上是DDR的2倍外，觸點(diǎn)數(shù)量也從DDR的184個(gè)觸點(diǎn)變成了240個(gè)觸點(diǎn)。而且均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而明顯的降低了功耗與發(fā)熱量。
DDR2內(nèi)存的頻率從400MHz開(kāi)始，目前出現(xiàn)過(guò)的有533MHz、667MHz、800MHz的。DDR2內(nèi)存可以不必象DDR那樣需要成對(duì)使用，單根的DDR2內(nèi)存是能夠正常使用的。DDR2內(nèi)存被廣泛地采用在前端總線是800MHz及以上的系統(tǒng)里，象核心為nocona的Xeon CPU所運(yùn)行的服務(wù)器均采用DDR2內(nèi)存。DDR2內(nèi)存是目前市場(chǎng)上的主流內(nèi)存。